Према теорији појаса чврстих тела, енергетски нивои електрона у полупроводничком материјалу формирају опсег. Проводни опсег веће енергије, валентни опсег ниже енергије, два одвојена опсега. Уведите полупроводничке неравнотежне парове једињења електронских рупа, зрачећи енергију ослобођену у облику светлости, ово је рекомбинација носача.
Генерално има две врсте полупроводничких материјала, материјале са директним опсегом и материјале са индиректним зарезом, полупроводнике са директним опсегом као што су ГаАс (галијум арсенид) много чешће од полупроводничких материјала са индиректним опсегом као што су вероватноће зрачења Си радијације, светлосна ефикасност је много више.
Рекомбинација у полупроводницима да би се постигла стимулисана емисија (ласер) неопходна је за следеће: расподелу инверзије популације са стране п-типа и н-типа у активну регију када је густина носача веома велика, број електрона заузима проводљивост опсежне електронске државе премашују број електрона који заузимају електронски валентни опсег, чине инверзију популације у дистрибуцији. Сем полупроводнички ласер са резонантном шупљином, шупљина сачињена од зрцала на оба краја, названа Фабри Перот шупљина. Треће, компензација високог добитка за губитак. Оптички губитак резонатора углавном настаје услед рефлексије усмереног спољног покретања губитка и средње апсорпције светлости.